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2N7000-G
产品参考图片
2N7000-G
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-92-3
技术参数：
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
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技术参数详情：
制造商产品型号：2N7000-G
制造商：Microchip Technology（微芯科技）
描述：MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：-
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60V
25°C时电流-连续漏极(Id)：200mA（Tj）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 欧姆 @ 500mA，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
Vgs（最大值）：±30V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：60pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：1W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
器件封装：TO-92-3
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2N7000-G
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