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APT35GP120B2DQ2G
产品参考图片
APT35GP120B2DQ2G
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3 变式
技术参数：
IGBT 1200V 96A 543W TMAX
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技术参数详情：
制造商产品型号：APT35GP120B2DQ2G
制造商：Microchip Technology（微芯科技）
描述：IGBT 1200V 96A 543W TMAX
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：POWER MOS 7?
零件状态：有源
IGBT类型：PT
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极(Ic)（最大值）：96A
电流-集电极脉冲(Icm)：140A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：3.9V @ 15V，35A
功率-最大值：543W
开关能量：750μJ（开），680μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：150nC
25°C时Td（开/关）值：16ns/95ns
测试条件：600V，35A，4.3 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：-
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-247-3 变式
现在可以订购
APT35GP120B2DQ2G
，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
JAN1N6114A
ZL30282LDF1
MXPLAD18KP170A
PIC32MX230F128H-50I/PT
MCP6V82T-E/MS
DSPIC33FJ12MC202-E/SO
JAN1N5531CUR-1
DSC1001AI5-027.0000
ATF22V10CZ-15PC
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