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APT50GP60B2DQ2G

制造厂商：Microchip（微芯科技）

类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3 变式

技术参数：IGBT 600V 150A 625W TMAX

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技术参数详情：

制造商产品型号：APT50GP60B2DQ2G

制造商：Microchip Technology（微芯科技）

描述：IGBT 600V 150A 625W TMAX

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：POWER MOS 7?

零件状态：不適用於新設計

IGBT类型：PT

电压-集射极击穿（最大值）：600V

电流-集电极(Ic)（最大值）：150A

电流-集电极脉冲(Icm)：190A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，50A

功率-最大值：625W

开关能量：465μJ（开），635μJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：165nC

25°C时Td（开/关）值：19ns/85ns

测试条件：400V，50A，4.3 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：-

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-247-3 变式

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