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APT65GP60L2DQ2G
产品参考图片
APT65GP60L2DQ2G
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
类别封装:
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-264-3,TO-264AA
技术参数:
IGBT 600V 198A 833W TO264
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技术参数详情:
制造商产品型号:APT65GP60L2DQ2G
制造商:Microchip Technology(微芯科技)
描述:IGBT 600V 198A 833W TO264
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:POWER MOS 7?
零件状态:不適用於新設計
IGBT类型:PT
电压-集射极击穿(最大值):600V
电流-集电极(Ic)(最大值):198A
电流-集电极脉冲(Icm):250A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,65A
功率-最大值:833W
开关能量:605μJ(开),895μJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:210nC
25°C时Td(开/关)值:30ns/90ns
测试条件:400V,65A,5 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):-
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO-264-3,TO-264AA
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APT65GP60L2DQ2G
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