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APT65GP60L2DQ2G
  • 制造厂商:Microchip(微芯科技)
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-264-3,TO-264AA
  • 技术参数:IGBT 600V 198A 833W TO264
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    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:APT65GP60L2DQ2G
  • 制造商:Microchip Technology(微芯科技)
  • 描述:IGBT 600V 198A 833W TO264
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:POWER MOS 7?
  • 零件状态:不適用於新設計
  • IGBT类型:PT
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):198A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):250A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,65A
  • 功率-最大值:833W
  • 开关能量:605μJ(开),895μJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:210nC
  • 25°C时Td(开/关)值:30ns/90ns
  • 测试条件:400V,65A,5 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-264-3,TO-264AA
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