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APTC60AM45BC1G
产品参考图片
APTC60AM45BC1G
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
类别封装:
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:SP1
技术参数:
MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
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技术参数详情:
制造商产品型号:APTC60AM45BC1G
制造商:Microchip Technology(微芯科技)
描述:MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:CoolMOS?
零件状态:有源
FET类型:3 N 沟道(相角 + 升压斩波电路)
FET功能:标准
漏源电压(Vdss):600V
25°C时电流-连续漏极(Id):49A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):45 毫欧 @ 24.5A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):3.9V @ 3mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):150nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):7200pF @ 25V
功率-最大值:250W
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装:SP1
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APTC60AM45BC1G
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