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APTM100A13SG
产品参考图片
APTM100A13SG
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
类别封装:
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:SP6
技术参数:
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
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技术参数详情:
制造商产品型号:APTM100A13SG
制造商:Microchip Technology(微芯科技)
描述:MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:-
零件状态:有源
FET类型:2 个 N 通道(半桥)
FET功能:标准
漏源电压(Vdss):1000V(1kV)
25°C时电流-连续漏极(Id):65A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):156 毫欧 @ 32.5A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 6mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):562nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):15200pF @ 25V
功率-最大值:1250W
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装:SP6
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APTM100A13SG
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