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产品参考图片

APTM100DAM90G

制造厂商：Microchip（微芯科技）

类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：SP6

技术参数：MOSFET N-CH 1000V 78A SP6

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技术参数详情：

制造商产品型号：APTM100DAM90G

制造商：Microchip Technology（微芯科技）

描述：MOSFET N-CH 1000V 78A SP6

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：1000V

25°C时电流-连续漏极(Id)：78A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：105 毫欧 @ 39A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 10mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：744nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：20700pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：1250W（Tc）

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：底座安装

器件封装：SP6

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DSPIC33EP64GS708-I/PT

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