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JAN1N5526B-1

制造厂商：Microchip（微芯科技）

类别封装：二极管 - 齐纳 - 单，封装：DO-204AH，DO-35，轴向

技术参数：DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35

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技术参数详情：

制造商产品型号：JAN1N5526B-1

制造商：Microchip Technology（微芯科技）

描述：DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35

系列：二极管 - 齐纳 - 单

零件状态：停产

电压-齐纳（标称值）(Vz)：6.8V

容差：±5%

功率-最大值：500mW

阻抗（最大值）(Zzt)：30 Ohms

不同Vr时电流-反向泄漏：1μA @ 6.2V

不同If时电压-正向(Vf)：1.1V @ 200mA

工作温度：-65°C ~ 175°C

安装类型：通孔

封装：DO-204AH，DO-35，轴向

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